IRLML0040TRPBF Câu hỏi thường gặp

Các biện pháp phòng ngừa sự cố điện áp cực J: Bảo vệ quá áp giữa thanh ghi và nguồn: Nếu trở kháng giữa cổng và nguồn quá cao, sự thay đổi đột ngột về điện áp giữa cống và nguồn sẽ được ghép với cổng thông qua điện dung điện cực, dẫn đến trong trường hợp quá tải điện áp UGS và quá tải cổng rất cao. Nếu đó là điện áp thoáng qua UGS theo hướng tích cực, thiết bị cũng có thể có lỗi dẫn điện. Để đạt được điều này, trở kháng của mạch điều khiển cổng phải được giảm một cách thích hợp và điện trở giảm chấn hoặc bộ điều chỉnh điện áp có ổn định điện áp khoảng 20V phải được kết nối song song giữa cổng và nguồn. Phải đặc biệt chú ý đến việc ngăn chặn các hoạt động mở cửa.

Bảo vệ quá áp giữa các đường ống không phải nước: Nếu có tải cảm ứng trong mạch, dòng điện thoát (di/dt) thay đổi đột ngột khi tắt thiết bị sẽ khiến điện áp thoát vượt quá mức, cao hơn nhiều so với nguồn điện điện áp, dẫn đến hư hỏng thiết bị. Nên thực hiện các biện pháp bảo vệ như kìm Zener, kìm RC hoặc mạch RC.

Ví dụ: Sử dụng bảng bảo vệ pin lithium làm công tắc sạc và xả

Nói chung, MOS ở trạng thái bật hoặc tắt, không tính đến tốc độ chuyển đổi của MOS, mạch đóng nhanh được thiết kế trên toàn bộ mạch.

Hãy chú ý đến những điểm sau:

1. Hãy chú ý đến điện áp DS và để lại đủ lề cho việc thiết kế và lựa chọn. Theo BVDDS của 1,5 lần bóng bán dẫn MOS

2. Chú ý đến dòng điện làm việc và dòng điện bảo vệ. Giá trị kinh nghiệm gấp 3-4 lần trở lên, chính là ID (DC) của MOS.

3. Nhiều MOS được kết nối song song và biên độ hiện tại phải càng lớn càng tốt.

4. Kế hoạch sử dụng dòng điện cao nên xem xét toàn diện khả năng tản nhiệt của bao bì và điện trở bên trong.

5. Điều quan trọng là phải hiểu điện áp điều khiển và cố gắng giữ cho MOS hoạt động ở trạng thái mở hoàn toàn. Đối với các giải pháp điều khiển bằng vi điều khiển, nên sử dụng MOS với trạng thái mở càng thấp càng tốt.

Ngoài ra, khi chọn bóng bán dẫn MOS, cần chú ý đến loại kênh, BVDDS, dòng dẫn ID, VGS (th), RDSON và các thông số khác